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1996 Jul 30
7
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
Fig.12 Input admittance; typical values.
3handbook, halfpage10
MGE778
102
102
10
1
10
1
10?1
10
102
103
gis
(μA/V)
bis
(mA/V)
f (MHz)
bis
gis
VDS
=15V; VGS
=0; Tamb
=25?C.
Fig.13 Common source reverse admittance as a
function of frequency; typical values.
4handbook, halfpage10
MGE780
10
103
102
10
1
10?1
10?2
10
102
103
brs
(μA/V)
Crs
(pF)
f (MHz)
brs
Crs
VDS
=15V; VGS
=0; Tamb
=25?C.
Fig.14 Common-source forward transfer admittance
as a function of frequency; typical values.
VDS
=15V; VGS
=0; Tamb
=25?C.
handbook, halfpageg
10fs,
0
MGE782
10
102
103
2
4
6
(mA/V)
8
?bfs
f (MHz)
?bfs
gfs
Fig.15 Common-source output admittance as a
function of frequency; typical values.
VDS
=15V; VGS
=0; Tamb
=25?C.
3handbook, halfpage10
MGE783
10
102
10
1
1
10?1
10?2
10
102
103
gos
(μA/V)
bos
(mA/V)
f (MHz)
bos
gos
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